MEM2303XG系列P沟道增强型场效应晶体管，高密度组织沟槽技术生产，特别是用于减少通态电阻。该器件特别适合低电压应用，低功耗，低功耗的一个非常小的轮廓表面贴装封装。
● -30V/-4.2A
● RDS(ON)=55mΩ@VGS=-10V,ID=-4.2A
● RDS(ON)=62mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4A
● RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
● 超低电阻高密度电池设计
● 微型表面贴装封装：SOT23封装
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