MEM2313SG系列双P沟道增强型场效应晶体管，高密度组织沟槽技术生产，特别是用于减少通态电阻。该设备特别适合低电压。
● -30V/-6A
RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
● 超低电阻的高密度电池设计
● 表面贴装封装：SOP8
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